Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
International Rectifier
IRF6662TR1PBF

MOSFET N HEXFET 100V 8.3A DirectFET MZ

MOSFET N HEXFET 100V 8.3A DirectFET MZ
MOSFET International Rectifier IRF6662TR1PBF
Код IRF6662TR1PBF
Производитель International Rectifier
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -40°C
Product Height 0.6
Product Length 5.45
Category Power MOSFET
Product Width 5.05
Supplier Package Direct-FET MZ
Configuration Single; Quad Drain, Dual Source
Typical Fall Time 5.9ns
Typical Rise Time 7.5ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 100V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Maximum Continuous Drain Current 8.3A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.022Ω
Typical Turn-Off Delay Time 24ns
Typical Turn-On Delay Time 11ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя IRF6662TR1PBF
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет