Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
International Rectifier
IRF6655TR1PBF

MOSFET N HEXFET 100V 4.2A DirectFET SH

MOSFET N HEXFET 100V 4.2A DirectFET SH
MOSFET International Rectifier IRF6655TR1PBF
Код IRF6655TR1PBF
Производитель International Rectifier
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -40°C
Product Height 0.7
Product Length 4.85
Category Power MOSFET
Product Width 3.95
Supplier Package Direct-FET SH
Configuration Single; Dual Drain
Typical Fall Time 4.3ns
Typical Rise Time 2.8ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 100V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Maximum Continuous Drain Current 4.2A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.062Ω
Typical Turn-Off Delay Time 14ns
Typical Turn-On Delay Time 7.4ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя IRF6655TR1PBF
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет