Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
International Rectifier
IRF6646TR1PBF

MOSFET N-ch HEXFET 12A 80V DirectFET MN

MOSFET N-ch HEXFET 12A 80V DirectFET MN
MOSFET International Rectifier IRF6646TR1PBF
Код IRF6646TR1PBF
Производитель International Rectifier
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -40°C
Product Height 1.5
Product Length 5
Category Power MOSFET
Product Width 4
Supplier Package SOIC
Configuration Single; Quad Drain, Dual Source
Typical Fall Time 12ns
Typical Rise Time 20ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 80V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Maximum Continuous Drain Current 12A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.0095Ω
Typical Turn-Off Delay Time 31ns
Typical Turn-On Delay Time 17ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя IRF6646TR1PBF
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет