Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
International Rectifier
IRF6614TR1PBF

MOSFET N HEXFET 40V 12.7A DirectFET ST

MOSFET N HEXFET 40V 12.7A DirectFET ST
MOSFET International Rectifier IRF6614TR1PBF
Код IRF6614TR1PBF
Производитель International Rectifier
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -40°C
Product Height 0.62
Product Length 3.95
Category Power MOSFET
Product Width 3.95
Supplier Package Direct-FET ST
Configuration Single; Dual Drain, Dual Source
Typical Fall Time 3.6ns
Typical Rise Time 27ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 40V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Maximum Continuous Drain Current 12.7A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.0083Ω
Typical Turn-Off Delay Time 18ns
Typical Turn-On Delay Time 13ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя IRF6614TR1PBF
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет