Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
International Rectifier
IRF1018ESPBF

Power control,MOSFET,N channel,HEXFET,60V,79A,D2PAK

Power control,MOSFET,N channel,HEXFET,60V,79A,D2PAK
MOSFET International Rectifier IRF1018ESPBF
Код IRF1018ESPBF
Производитель International Rectifier
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 175°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 4.83
Product Length 10.67
Category Power MOSFET
Product Width 9.65
Supplier Package D2PAK
Configuration Single
Typical Fall Time 46ns
Typical Rise Time 35ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 60V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Maximum Continuous Drain Current 79A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.0084Ω
Typical Turn-Off Delay Time 55ns
Typical Turn-On Delay Time 13ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя IRF1018ESPBF
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет