Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
International Rectifier
5410250

MOSFET Dual N-ch HEXFET® 6.5A 30V SOIC8

MOSFET Dual N-ch HEXFET® 6.5A 30V SOIC8
MOSFET International Rectifier 5410250
Код 5410250
Производитель International Rectifier
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 1.5
Product Length 5
Category Power MOSFET
Product Width 4
Supplier Package SOIC
Configuration Dual; Dual Drain
Typical Fall Time 17ns
Typical Rise Time 8.9ns
Number of Elements per Chip 2
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 30V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Maximum Continuous Drain Current 6.5A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.029Ω
Typical Turn-Off Delay Time 26ns
Typical Turn-On Delay Time 8.1ns
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя 5410250
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество: