Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

Память DRAM
Hynix
H5MS2562JFR-E3

Mobile DDR 256M (x16) FBGA

Mobile DDR 256M (x16) FBGA
Память DRAM Hynix H5MS2562JFR-E3
Код H5MS2562JFR-E3
Производитель Hynix
Type DDR SDRAM
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 85°C
Minimum Operating Temperature -30°C
Product Height 0.6
Product Length 10
Interface Type LVCMOS
Pin Count 60
Product Width 8
Supplier Package FBGA
Typical Operating Supply Voltage 1.8V
Address Bus Width 15Bit
Data Bus Width 16Bit
Density 256MBit
Maximum Clock Rate 333MHz
Maximum Operating Current 90mA
Maximum Random Access Time 5ns
Number of Bits per Word 16Bit
Number of I/O Lines 16Bit
Number of Internal Banks 4
Number of Words per Bank 4M
Organization 16Mx16
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя H5MS2562JFR-E3
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество: