Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

Память DRAM
Hynix
H55S5162DFR-E3

Mobile SDRAM 512M (x16) FBGA

Mobile SDRAM 512M (x16) FBGA
Память DRAM Hynix H55S5162DFR-E3
Код H55S5162DFR-E3
Производитель Hynix
Type DDR SDRAM
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 85°C
Minimum Operating Temperature -30°C
Product Height 0.61
Product Length 8
Pin Count 54
Product Width 8
Supplier Package FBGA
Typical Operating Supply Voltage 1.8V
Address Bus Width 13Bit
Data Bus Width 16Bit
Density 512MBit
Maximum Clock Rate 166MHz
Maximum Operating Current 60mA
Maximum Random Access Time 5.4ns
Number of Bits per Word 16Bit
Number of I/O Lines 16Bit
Number of Internal Banks 4
Number of Words per Bank 8M
Organization 32Mx16
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя H55S5162DFR-E3
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество: