Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

Память DRAM
Hynix
H55S5122DFR-E3

Mobile SDRAM 512M (x32) FBGA

Mobile SDRAM 512M (x32) FBGA
Память DRAM Hynix H55S5122DFR-E3
Код H55S5122DFR-E3
Производитель Hynix
Type SDRAM
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 85°C
Minimum Operating Temperature -30°C
Product Height 0.6
Product Length 13
Interface Type LVCMOS
Pin Count 90
Product Width 8
Supplier Package FBGA
Typical Operating Supply Voltage 1.8V
Address Bus Width 16Bit
Data Bus Width 32Bit
Density 512MBit
Maximum Clock Rate 166MHz
Maximum Operating Current 70mA
Maximum Random Access Time 6, 5.4ns
Number of Bits per Word 32Bit
Number of I/O Lines 32Bit
Number of Internal Banks 4
Number of Words per Bank 4M
Organization 16Mx32
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя H55S5122DFR-E3
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество: