Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

Память DRAM
Hynix
H55S2562JFR-E3

Mobile SDRAM 256M (x16) FBGA

Mobile SDRAM 256M (x16) FBGA
Память DRAM Hynix H55S2562JFR-E3
Код H55S2562JFR-E3
Производитель Hynix
Type Mobile SDRAM
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 85°C
Minimum Operating Temperature -30°C
Product Height 0.61
Product Length 8
Interface Type LVCMOS
Pin Count 54
Product Width 8
Supplier Package FBGA
Typical Operating Supply Voltage 1.8V
Address Bus Width 15Bit
Data Bus Width 16Bit
Density 256MBit
Maximum Clock Rate 166MHz
Maximum Operating Current 55mA
Maximum Random Access Time 6, 5.4ns
Number of Bits per Word 16Bit
Number of I/O Lines 16Bit
Number of Internal Banks 4
Number of Words per Bank 4M
Organization 16Mx16
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя H55S2562JFR-E3
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество: