Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

Память DRAM
Hynix
H55S2522JFR-E3

Mobile SDRAM 256M (x32) FBGA

Mobile SDRAM 256M (x32) FBGA
Память DRAM Hynix H55S2522JFR-E3
Код H55S2522JFR-E3
Производитель Hynix
Type Mobile SDRAM
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 85°C
Minimum Operating Temperature -30°C
Product Height 0.61
Product Length 13
Interface Type LVCMOS
Pin Count 90
Product Width 8
Supplier Package FBGA
Typical Operating Supply Voltage 1.8V
Address Bus Width 15Bit
Data Bus Width 32Bit
Density 256MBit
Maximum Clock Rate 166MHz
Maximum Operating Current 65mA
Maximum Random Access Time 6, 5.4ns
Number of Bits per Word 32Bit
Number of I/O Lines 32Bit
Number of Internal Banks 4
Number of Words per Bank 2M
Organization 8Mx32
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя H55S2522JFR-E3
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество: