Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

Память DRAM
Hynix
H55S1G62MFP-E3

Mobile SDRAM 1G (x16) FBGA

Mobile SDRAM 1G (x16) FBGA
Память DRAM Hynix H55S1G62MFP-E3
Код H55S1G62MFP-E3
Производитель Hynix
Type DDR SDRAM
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 85°C
Minimum Operating Temperature -30°C
Product Height 1mm
Product Length 12mm
Interface Type LVCMOS
Pin Count 54
Product Width 8mm
Supplier Package FBGA
Maximum Operating Supply Voltage 1.95V
Minimum Operating Supply Voltage 1.7V
Typical Operating Supply Voltage 1.8V
Data Bus Width 16Bit
Density 1GBit
Maximum Clock Rate 166MHz
Maximum Operating Current 50mA
Number of I/O Lines 16Bit
Number of Internal Banks 4
Number of Words per Bank 16M
Organization 64Mx16
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя H55S1G62MFP-E3
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество: