Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
Fairchild Semiconductor
FDS6900AS

Trans MOSFET N-CH 30V 6.9A/8.2A 8-SOIC

Trans MOSFET N-CH 30V 6.9A/8.2A 8-SOIC
MOSFET Fairchild Semiconductor FDS6900AS
Код FDS6900AS
Производитель Fairchild Semiconductor
Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Product Height 1.5
Product Length 5
Category Power MOSFET
Product Width 3.99
Supplier Package SOIC N
Configuration Dual
Typical Fall Time 3,4@Q1,3,6@Q2ns
Typical Rise Time 4,9@Q1,5,15@Q2ns
Number of Elements per Chip 2
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 30V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Maximum Continuous Drain Current 6.9@Q1, 8.2@Q2A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.027@Q1, 0.022@Q2Ω
Typical Input Capacitance @ Vds 600@15V@Q1, 570@15V@Q2pF
Typical Turn-Off Delay Time 23, 14@Q1, 26, 16@Q2ns
Typical Turn-On Delay Time 9, 10@Q1, 10, 11@Q2ns
Typical Gate Charge @ Vgs 11@10V@Q1, 10@10V@Q2nC
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя FDS6900AS
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет