Быстрый поиск

Шаг 1: Выберите производителя     
     
Шаг 2: Выберите код товара
Версия для печати

MOSFET
DiodesZetex
ZXMN3B04N8TA

MOSFET N-ch 8.9A 30V SOIC8

MOSFET N-ch 8.9A 30V SOIC8
MOSFET DiodesZetex ZXMN3B04N8TA
Код ZXMN3B04N8TA
Производитель DiodesZetex
Maximum Operating Temperature 150°C
Minimum Operating Temperature -55°C
Category Power MOSFET
Maximum Power Dissipation 3000mW
Supplier Package SOIC
Configuration Single; Quad Drain, Triple Source
Typical Fall Time 16.6ns
Typical Rise Time 11.5ns
Number of Elements per Chip 1
Channel Type N
Maximum Drain Source Voltage 30V
Maximum Gate Source Voltage ±12V
Maximum Continuous Drain Current 8.9A
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Resistance 0.025Ω
Typical Input Capacitance @ Vds 2480pF
Typical Turn-Off Delay Time 40ns
Typical Turn-On Delay Time 9ns
Typical Gate Charge @ Vgs 23.1nC
Cрок поставки Уточняйте radioniks.com@mail.ru
Условия поставки Под заказ
Артикул производителя ZXMN3B04N8TA
 
Цена Уточняйте: radioniks.com@mail.ru
Количество:
Примечание: минимальная сумма заказа составляет